THMD25E30B80概述

IC 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.8 ns, DMA184, Dynamic RAM

THMD25E30B80规格参数

	THMD25E30B80	THMD25E30B75
描述	IC 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.8 ns, DMA184, Dynamic RAM	IC 32M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184, Dynamic RAM
Reach Compliance Code	unknown	unknown
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.8 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	2415919104 bit	2415919104 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	184	184
字数	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	32MX72	32MX72
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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