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sts6nf20

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器件名 厂商 描 述 功能
STS6NF20V ST(意法半导体) 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 栅源极阈值电压:600mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,20V,6A,30mΩ@2.7V 下载
STS6NF20V 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 20V (D-S) MOSFET 下载
STS6NF20V KEXIN N-Channel MOSFET 下载
sts6nf20的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 栅源极阈值电压:600mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,20V,6A,30mΩ@2.7V

参数
参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
Samacsys DescriptionSTS6NF20V, N-channel MOSFET Transistor 6A 20V, 8-Pin SO
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6 A
最大漏极电流 (ID)6 A
最大漏源导通电阻0.045 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)24 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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