| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| STS6NF20V | ST(意法半导体) | 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 栅源极阈值电压:600mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,20V,6A,30mΩ@2.7V | 下载 |
| STS6NF20V | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 20V (D-S) MOSFET | 下载 |
| STS6NF20V | KEXIN | N-Channel MOSFET | 下载 |
漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 栅源极阈值电压:600mV @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,20V,6A,30mΩ@2.7V
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | SOT |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 12 weeks |
| Samacsys Description | STS6NF20V, N-channel MOSFET Transistor 6A 20V, 8-Pin SO |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 6 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.045 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 24 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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