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fs100r06

在8个相关元器件中,fs100r06有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FS100R06KE3 EUPEC [eupec GmbH] EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT and EmCon3 diode 下载
FS100R06KE3 Infineon(英飞凌) IGBT Modules ECONO PACK 3 WITH FAST TRENCH 下载
FS100R06KE3BOSA1 Infineon(英飞凌) IGBT MODULE VCES 600V 100A 下载
FS100R06KF EUPEC [eupec GmbH] Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, 下载
FS100R06KF2 EUPEC [eupec GmbH] Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 下载
FS100R06KF3 EUPEC [eupec GmbH] Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 下载
FS100R06KL4 Infineon(英飞凌) Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, MODULE-35 下载
FS100R06KL4 EUPEC [eupec GmbH] Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 下载
fs100r06的相关参数为:

器件描述

IGBT Modules ECONO PACK 3 WITH FAST TRENCH

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35
针数35
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)100 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X35
湿度敏感等级1
元件数量6
端子数量35
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)335 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)370 ns
标称接通时间 (ton)100 ns
VCEsat-Max1.9 V
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