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UPTB17e3/TR7

在1个相关元器件中,UPTB17e3/TR7有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
UPTB17e3/TR7 Microsemi ESD 抑制器/TVS 二极管 Transient Voltage Suppressor 下载
UPTB17e3/TR7的相关参数为:

器件描述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 17V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-216AA,

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-216AA
包装说明S-PSSO-G1
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最小击穿电压19 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-216AA
JESD-30 代码S-PSSO-G1
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散1000 W
元件数量1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散2.5 W
参考标准IEC-61000-4-5
最大重复峰值反向电压17 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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