| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| SI4965DY | Vishay(威世) | MOSFET 8V 8A 2W | 下载 |
| SI4965DY-E3 | Vishay(威世) | MOSFET 8V 8A 2W | 下载 |
| SI4965DY-T1 | Vishay(威世) | MOSFET 8V 8A 2W | 下载 |
| SI4965DY-T1-E3 | Vishay(威世) | MOSFET 8V 8A 2W | 下载 |
| SI4965DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | MOSFET 8.0V 8.0A 2.0W 21mohm @ 4.5V | 下载 |
| SI4965DY_V01 | Vishay(威世) | Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| SI4965DY-E3 、 SI4965DY-T1 、 SI4965DY-T1-GE3 | 下载文档 |
| SI4965DY 、 SI4965DY-T1-E3 | 下载文档 |
| 型号 | SI4965DY-E3 | SI4965DY-T1 | SI4965DY-T1-GE3 |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 8V 8A 2W | MOSFET 8V 8A 2W | MOSFET 8.0V 8.0A 2.0W 21mohm @ 4.5V |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) | - |
| 包装说明 | , | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | - |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | - |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 8 A | 8 A | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| JESD-609代码 | e3 | e0 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2 W | 2 W | - |
| 表面贴装 | YES | YES | - |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved