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Si4965DY

eeworld网站中关于Si4965DY有6个元器件。有SI4965DY、SI4965DY-E3等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
SI4965DY Vishay(威世) MOSFET 8V 8A 2W 下载
SI4965DY-E3 Vishay(威世) MOSFET 8V 8A 2W 下载
SI4965DY-T1 Vishay(威世) MOSFET 8V 8A 2W 下载
SI4965DY-T1-E3 Vishay(威世) MOSFET 8V 8A 2W 下载
SI4965DY-T1-GE3 Vishay(威世) MOSFET 8.0V 8.0A 2.0W 21mohm @ 4.5V 下载
SI4965DY_V01 Vishay(威世) Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET 下载
关于Si4965DY相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
SI4965DY-E3 、 SI4965DY-T1 、 SI4965DY-T1-GE3 下载文档
SI4965DY 、 SI4965DY-T1-E3 下载文档
Si4965DY资料比对:
型号 SI4965DY-E3 SI4965DY-T1 SI4965DY-T1-GE3
描述 MOSFET 8V 8A 2W MOSFET 8V 8A 2W MOSFET 8.0V 8.0A 2.0W 21mohm @ 4.5V
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) -
包装说明 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 -
Reach Compliance Code compliant unknown -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 8 A 8 A -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JESD-609代码 e3 e0 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W -
表面贴装 YES YES -
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) -
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