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SI4965DY-T1-E3

产品描述MOSFET 8V 8A 2W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI4965DY-T1-E3在线购买

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SI4965DY-T1-E3概述

MOSFET 8V 8A 2W

SI4965DY-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)8 A
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.021 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON

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Si4965DY
Vishay Siliconix
Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
-8
R
DS(on)
(Ω)
0.021 at V
GS
= - 4.5 V
0.027 at V
GS
= - 2.5 V
0.040 at V
GS
= - 1.8 V
I
D
(A)
- 8.0
- 7.0
- 5.8
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs: 1.8 V Rated
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
S
1
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
Top View
8
7
6
5
D
1
D
1
D
2
D
2
G
1
G
2
Ordering Information:
Si4965DY-T1-E3
(Lead (Pb)-free)
Si4965DY-T1-GE3
(Lead (Pb)-free and Halogen-free)
D
1
P-Channel MOSFET
D
2
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a, b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
Maximum Power Dissipation
a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
Limit
-8
±8
- 8.0
- 6.4
- 30
- 1.7
2.0
1.3
- 55 to 150
W
°C
A
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
b. t
10 s.
t
10 s
Steady State
Symbol
R
thJA
Typical
93
Maximum
62.5
Unit
°C/W
Document Number: 70826
S09-0867-Rev. C, 18-May-09
www.vishay.com
1

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