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STD7N52K3

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器件名 厂商 描 述 功能
STD7N52K3 ST(意法半导体) MOSFET N-channel 525 V 6.3 A DPAK 下载
STD7N52K3的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-channel 525 V 6.3 A DPAK

参数
参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压525 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)6.2 A
最大漏极电流 (ID)6.3 A
最大漏源导通电阻0.98 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)25 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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