电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

STD5NM50

在5个相关元器件中,STD5NM50有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
STD5NM50 ST(意法半导体) N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh⑩Power MOSFET 下载
STD5NM50-1 ST(意法半导体) MOSFET N-Ch 500 Volt 7.5 A 下载
STD5NM50AG ST(意法半导体) MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.7 typ., 7.5 A, MDmesh Power MOSFET in a DPAK package 下载
STD5NM50T4 ST(意法半导体) Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 4.7uF 100volts X7S +/-10% Soft Term 下载
STD5NM50T4 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
STD5NM50的相关参数为:

器件描述

N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh⑩Power MOSFET

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)300 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5 A
最大漏极电流 (ID)7.5 A
最大漏源导通电阻0.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   0T 4J 65 6B 91 FD H7 JF KE L2 LV M5 PU T1 UW

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved