| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| SI2301BDS | KEXIN | 2200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 | 下载 |
| SI2301BDS | Vishay(威世) | 2200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 | 下载 |
| SI2301BDS_08 | Vishay(威世) | P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | 下载 |
| SI2301BDS-3 | KEXIN | P-Channel Enhancement MOSFET | 下载 |
| SI2301BDS-E3 | Vishay(威世) | TRANSISTOR 2200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal | 下载 |
| SI2301BDS-HF | KEXIN | P-Channel MOSFET | 下载 |
| SI2301BDS-HF-3 | KEXIN | P-Channel MOSFET | 下载 |
| SI2301BDS-T1 | Vishay(威世) | MOSFET 20V 2.4A 0.7W | 下载 |
| SI2301BDS-T1-E3 | Vishay(威世) | Ferrite Beads 0805 220 OHM | 下载 |
| SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | —— | 下载 |
| SI2301BDS-T1-GE3 | 台湾微碧(VBsemi) | —— | 下载 |
| SI2301BDS_V01 | Vishay(威世) | P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| SI2301BDS-T1 、 SI2301BDS-T1-E3 、 SI2301BDS-T1-GE3 | 下载文档 |
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| SI2301BDS-3 | 下载文档 |
| SI2301BDS-E3 | 下载文档 |
| SI2301BDS | 下载文档 |
| SI2301BDS-T1-GE3 | 下载文档 |
| SI2301BDS-T1-GE3 | 下载文档 |
| SI2301BDS_08 | 下载文档 |
| SI2301BDS-HF-3 | 下载文档 |
| SI2301BDS-HF | 下载文档 |
| 型号 | SI2301BDS-T1 | SI2301BDS-T1-E3 | FP5548-2184-BT |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 20V 2.4A 0.7W | Ferrite Beads 0805 220 OHM | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 2180000ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, 200ppm/Cel, |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 160 °C |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | - |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) | - |
| 配置 | Single | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2.2 A | 2.2 A | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | - |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.9 W | 0.9 W | - |
| 表面贴装 | YES | YES | - |
| 端子数量 | - | 3 | 2 |
| 封装形式 | - | SMALL OUTLINE | Axial |
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