| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| SA5230DR2G | ON Semiconductor(安森美) | Operational Amplifiers - Op Amps 1.8V Single Rail to Rail Industrial Temp | 下载 |
| SA5230DR2G | Rochester Electronics | OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, 0.6MHz BAND WIDTH, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-8 | 下载 |
OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, 0.6MHz BAND WIDTH, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-8
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | Rochester Electronics |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.2 µA |
| 标称共模抑制比 | 95 dB |
| 最大输入失调电压 | 4000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED |
| 负供电电压上限 | -9 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -7.5 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 认证状态 | COMMERCIAL |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 标称压摆率 | 0.25 V/us |
| 供电电压上限 | 9 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 7.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 标称均一增益带宽 | 600 kHz |
| 宽度 | 3.9 mm |
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