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SA5230DR2G

在2个相关元器件中,SA5230DR2G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
SA5230DR2G ON Semiconductor(安森美) Operational Amplifiers - Op Amps 1.8V Single Rail to Rail Industrial Temp 下载
SA5230DR2G Rochester Electronics OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, 0.6MHz BAND WIDTH, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-8 下载
SA5230DR2G的相关参数为:

器件描述

OP-AMP, 4000uV OFFSET-MAX, 0.6MHz BAND WIDTH, PDSO8, LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-8

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码SOIC
包装说明LEAD FREE, PLASTIC, SOIC-8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)0.2 µA
标称共模抑制比95 dB
最大输入失调电压4000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.9 mm
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
负供电电压上限-9 V
标称负供电电压 (Vsup)-7.5 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态COMMERCIAL
座面最大高度1.75 mm
标称压摆率0.25 V/us
供电电压上限9 V
标称供电电压 (Vsup)7.5 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
标称均一增益带宽600 kHz
宽度3.9 mm
小广播

 
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