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PSMN003-30P

在5个相关元器件中,PSMN003-30P有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
PSMN003-30P Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) N-channel enhancement mode field-effect transistor 下载
PSMN003-30P Nexperia Power Field-Effect Transistor 下载
PSMN003-30P NXP(恩智浦) N-channel enhancement mode field-effect transistor 下载
PSMN003-30P,127 Nexperia MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB 下载
PSMN003-30P,127 NXP(恩智浦) PSMN003-30P - N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-220 3-Pin 下载
PSMN003-30P的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Nexperia
包装说明SC-46, 3 PIN
Reach Compliance Code_compli
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)500 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.004 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)400 A
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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