| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| MMBTA06WT1 | ON Semiconductor(安森美) | NPN Bipolar Transistor, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL | 下载 |
| MMBTA06WT1 | Rochester Electronics | 500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN | 下载 |
| MMBTA06WT1G | ON Semiconductor(安森美) | 额定功率:150mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN | 下载 |
NPN Bipolar Transistor, SC-70 (SOT-323) 3 LEAD, 3000-REEL
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | SC-70 |
| 包装说明 | CASE 419-04, SC-70, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | 419-04 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
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