| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| MJD112TF | ON Semiconductor(安森美) | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | 下载 |
| MJD112TF | Fairchild | Darlington Transistors NPN Si Transistor Darlington | 下载 |
| MJD112TF | Rochester Electronics | 2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 | 下载 |
2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Rochester Electronics |
| 零件包装代码 | TO-252 |
| 包装说明 | DPAK-3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 100 V |
| 配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 200 |
| JEDEC-95代码 | TO-252 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | COMMERCIAL |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 25 MHz |
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