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MJD112TF

在3个相关元器件中,MJD112TF有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
MJD112TF ON Semiconductor(安森美) TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK 下载
MJD112TF Fairchild Darlington Transistors NPN Si Transistor Darlington 下载
MJD112TF Rochester Electronics 2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 下载
MJD112TF的相关参数为:

器件描述

2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码TO-252
包装说明DPAK-3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)200
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)25 MHz
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