| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| IPG20N06S2L35ATMA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | 下载 |
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 26 weeks |
| 雪崩能效等级(Eas) | 100 mJ |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 20 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.035 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 80 A |
| 参考标准 | AEC-Q101 |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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