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FQPF2N60

在7个相关元器件中,FQPF2N60有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FQPF2N60 Fairchild 600V N-Channel MOSFET 下载
FQPF2N60 Rochester Electronics 1.6A, 600V, 4.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN 下载
FQPF2N60 Kersemi Electronic 600V N-Channel MOSFET 下载
FQPF2N60 ON Semiconductor(安森美) MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-220F 下载
FQPF2N60C Fairchild FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQPF2N60C - MOSFET; N; TO-220F 下载
FQPF2N60C ON Semiconductor(安森美) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.7Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):23W 类型:N沟道 N沟道 600V 2A 下载
FQPF2N60C-F105 Fairchild Transistor 下载
FQPF2N60的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-220F

参数
参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)1.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)4.7 欧姆 @ 800mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)11nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)350pF @ 25V
功率耗散(最大值)28W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220F
封装/外壳TO-220-3 整包
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