| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| FQPF2N60 | Fairchild | 600V N-Channel MOSFET | 下载 |
| FQPF2N60 | Rochester Electronics | 1.6A, 600V, 4.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | 下载 |
| FQPF2N60 | Kersemi Electronic | 600V N-Channel MOSFET | 下载 |
| FQPF2N60 | ON Semiconductor(安森美) | MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-220F | 下载 |
| FQPF2N60C | Fairchild | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FQPF2N60C - MOSFET; N; TO-220F | 下载 |
| FQPF2N60C | ON Semiconductor(安森美) | 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.7Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):23W 类型:N沟道 N沟道 600V 2A | 下载 |
| FQPF2N60C-F105 | Fairchild | Transistor | 下载 |
MOSFET N-CH 600V 1.6A TO-220F
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 1.6A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 4.7 欧姆 @ 800mA,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 350pF @ 25V |
| 功率耗散(最大值) | 28W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
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