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FQPF2N60C

产品描述漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.7Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):23W 类型:N沟道 N沟道 600V 2A
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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FQPF2N60C概述

漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.7Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):23W 类型:N沟道 N沟道 600V 2A

FQPF2N60C规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
制造商包装代码221AT
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
雪崩能效等级(Eas)120 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2 A
最大漏极电流 (ID)2 A
最大漏源导通电阻4.7 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)23 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)8 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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