电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

FGPF4565

在1个相关元器件中,FGPF4565有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FGPF4565 ON Semiconductor(安森美) IGBT Transistors FS1TIGBT TO220F 650V 下载
FGPF4565的相关参数为:

器件描述

IGBT Transistors FS1TIGBT TO220F 650V

参数
参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ON Semiconductor(安森美)
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
RoHSDetails
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
TO-220F
安装风格
Mounting Style
Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.88 V
Maximum Gate Emitter Voltage25 V
Continuous Collector Current at 25 C30 A
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
30 W
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Continuous Collector Current Ic Max170 A
Gate-Emitter Leakage Current400 nA
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000
单位重量
Unit Weight
0.080072 oz
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   11 16 1V 4M ID JO JU KW M0 RH RO UF V3 WA ZO

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved