电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

FDC655BN

eeworld网站中关于FDC655BN有7个元器件。有FDC655BN、FDC655BN等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
FDC655BN Fairchild 6300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 下载
FDC655BN ON Semiconductor(安森美) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.3A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 6.3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.6W 类型:N沟道 N沟道,30V,6.3A,21mΩ@10V 下载
FDC655BN_F073 Fairchild Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
FDC655BN_F123 Fairchild MOSFET 30V N-CHAN 0.025Ohms 下载
FDC655BN-F40 ON Semiconductor(安森美) N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30 V, 6.3 A, 25 mΩ, SSOT 6L, 3000-REEL 下载
FDC655BN-NBNN007 Fairchild Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
FDC655BN_NL Fairchild Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
关于FDC655BN相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
FDC655BN-NBNN007 、 FDC655BN_F073 、 FDC655BN_F073 下载文档
FDC655BN 、 FDC655BN-F40 下载文档
FDC655BN_NL 下载文档
FDC655BN_F123 下载文档
FDC655BN 下载文档
FDC655BN资料比对:
型号 FDC655BN-NBNN007 FDC655BN_F073 1720101020
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Board Connector, 100 Contact(s), 10 Row(s), Female, Right Angle, Press Fit Terminal, Receptacle, LOW HALOGEN, ROHS AND REACH COMPLIANT
包装说明 , , LOW HALOGEN, ROHS AND REACH COMPLIANT
Reach Compliance Code compliant unknown compliant
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 Fairchild Fairchild -
配置 Single Single -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 6.3 A 6.3 A -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 150 °C 150 °C -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 1.6 W 1.6 W -
表面贴装 YES YES -
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   1J 74 DM FQ HG LH LX MD MH PX QY SH VZ XT Z6

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved