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FDC655BN: 产品描述6300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小526KB，共6页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/; 标准

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6300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

参数名称	属性值
Brand Name	Fairchild Semiconduc
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Fairchild
零件包装代码	SSOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数	6
制造商包装代码	6LD, SUPERSOT6, JEDEC MO-193, 1.6MM WIDE
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Samacsys Descripti	FDC655BN N-Channel MOSFET, 6.3 A, 30 V PowerTrench, 6-Pin SOT-23 ON Semiconduc
其他特性	ULTRA-LOW RESISTANCE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	6.3 A
最大漏极电流 (ID)	6.3 A
最大漏源导通电阻	0.025 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	90 pF
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.6 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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