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FD650R17IE4

在4个相关元器件中,FD650R17IE4有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
FD650R17IE4 Infineon(英飞凌) IGBT Modules IGBT 1700V 650A 下载
FD650R17IE4BOSA2 Infineon(英飞凌) MODULE IGBT PRIME2-1 下载
FD650R17IE4D_B2 Infineon(英飞凌) IGBT Modules IGBT Module 650A 1700V 下载
FD650R17IE4DB2BOSA1 Infineon(英飞凌) Insulated Gate Bipolar Transistor, 930A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 下载
FD650R17IE4的相关参数为:

器件描述

IGBT Modules IGBT 1700V 650A

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10
针数10
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)930 A
集电极-发射极最大电压1700 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X10
元件数量1
端子数量10
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)4150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1870 ns
标称接通时间 (ton)720 ns
VCEsat-Max2.45 V
Base Number Matches1
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