| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| FD650R17IE4 | Infineon(英飞凌) | IGBT Modules IGBT 1700V 650A | 下载 |
| FD650R17IE4BOSA2 | Infineon(英飞凌) | MODULE IGBT PRIME2-1 | 下载 |
| FD650R17IE4D_B2 | Infineon(英飞凌) | IGBT Modules IGBT Module 650A 1700V | 下载 |
| FD650R17IE4DB2BOSA1 | Infineon(英飞凌) | Insulated Gate Bipolar Transistor, 930A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 | 下载 |
IGBT Modules IGBT 1700V 650A
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | MODULE |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10 |
| 针数 | 10 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 930 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1700 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X10 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 10 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 4150 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 1870 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 720 ns |
| VCEsat-Max | 2.45 V |
| Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved