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FD650R17IE4D_B2

产品描述IGBT Modules IGBT Module 650A 1700V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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FD650R17IE4D_B2在线购买

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FD650R17IE4D_B2概述

IGBT Modules IGBT Module 650A 1700V

FD650R17IE4D_B2规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码MODULE
包装说明MODULE-10
针数10
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)930 A
集电极-发射极最大电压1700 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码R-XUFM-X10
元件数量1
端子数量10
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)1870 ns
标称接通时间 (ton)765 ns
Base Number Matches1

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