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BSC035N10

在2个相关元器件中,BSC035N10有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
BSC035N10NS5 Infineon(英飞凌) Superior thermal resistance 下载
BSC035N10NS5ATMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET 100VPower transistor OptiMOS 5 下载
BSC035N10的相关参数为:

器件描述

Superior thermal resistance

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)300 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)100 A
最大漏源导通电阻0.0035 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-F5
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)400 A
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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