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AS6C4008-55ZIN

在4个相关元器件中,AS6C4008-55ZIN有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
AS6C4008-55ZIN All Sensors sram 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512k x 8 asynch sram 下载
AS6C4008-55ZIN Alliance Memory Tantalum Capacitors - Polymer SMD 6.3V 100uF 1210 ESR=40mOhms 下载
AS6C4008-55ZINTR Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 下载
AS6C4008-55ZINTR All Sensors sram 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512k x 8 asynch sram 下载
AS6C4008-55ZIN的相关参数为:

器件描述

Tantalum Capacitors - Polymer SMD 6.3V 100uF 1210 ESR=40mOhms

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Alliance Memory
零件包装代码TSSOP2
包装说明TSOP2, TSOP32,.46
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e3
长度20.95 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP32,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.00003 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度10.16 mm
Base Number Matches1
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