| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| 74LVC32ABQ | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | OR Gate, CMOS, PQCC14 | 下载 |
| 74LVC32ABQ | Nexperia | OR Gate | 下载 |
| 74LVC32ABQ | NXP(恩智浦) | IC LVC/LCX/Z SERIES, QUAD 2-INPUT OR GATE, PQCC14, 2.50 X 3 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, SOT-762-1, DHVQFN-14, Gate | 下载 |
| 74LVC32ABQ115 | NXP(恩智浦) | Logic Gates QUAD 2-IN OR GATE | 下载 |
| 74LVC32ABQ,115 | NXP(恩智浦) | LVC/LCX/Z SERIES, QUAD 2-INPUT OR GATE, PQCC14 | 下载 |
| 74LVC32ABQ,115 | Nexperia | OR Gate 4-Element 2-IN CMOS 14-Pin DHVQFN EP T/R | 下载 |
| 74LVC32ABQ-Q100 | Nexperia | OR Gate, LVC/LCX/Z Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, PQCC14 | 下载 |
| 74LVC32ABQ-Q100 | NXP(恩智浦) | LVC/LCX/Z SERIES, QUAD 2-INPUT OR GATE, PQCC14, 2.50 X 3 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, MO-241, SOT762-1, DHVQFN-14 | 下载 |
| 74LVC32ABQ-Q100X | NXP(恩智浦) | Logic Gates 74LVC32ABQ-Q100/DHVQFN14/REEL | 下载 |
| 74LVC32ABQ-Q100X | Nexperia | OR Gate 4-Element 2-IN CMOS Automotive 14-Pin DHVQFN EP T/R | 下载 |
OR Gate
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Nexperia |
| 包装说明 | VQCCN, LCC14,.1X.12,20 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 系列 | LVC/LCX/Z |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-N14 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 3 mm |
| 负载电容(CL) | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | OR GATE |
| 最大I(ol) | 0.024 A |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 4 |
| 输入次数 | 2 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VQCCN |
| 封装等效代码 | LCC14,.1X.12,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 最大电源电流(ICC) | 0.04 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 5 ns |
| 传播延迟(tpd) | 10.4 ns |
| 施密特触发器 | YES |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 2.5 mm |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved