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2SC5658M3T5G

在3个相关元器件中,2SC5658M3T5G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
2SC5658M3T5G Vaishali Semiconductor 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 下载
2SC5658M3T5G ON Semiconductor(安森美) Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN 下载
2SC5658M3T5G_14 ON Semiconductor(安森美) NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor 下载
2SC5658M3T5G的相关参数为:

器件描述

Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
制造商包装代码631AA
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.26 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)180 MHz
Base Number Matches1
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