龙腾半导体有限公司是一家致力于新型功率半导体器件研发及销售于一体的高新技术企业。公司视技术创新为企业发展的核心竞争力，建有国内一流水准的研发中心及应用测试实验室。公司通过ISO9001-2015质量体系认证，在功率半导体器件设计及应用领域申请83项专利。
公司建有国内一流水准的研发中心及实验室。公司推出的超结功率场效应管（Super Junction VDMOS、Shielding Gate VDMOS）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、快恢复二极管（FRD）等系列产品具有高能效、高可靠性及高性价比的优点，已在计算机及服务器电源、LED驱动电源、充电器、适配器、TV板卡电源等多个领域得到广泛应用；在新能源汽车充电桩、车载充电机、汽车电机驱动、光伏逆变器、工业变频器、UPS、电焊机市场等领域持续增长。
| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| LSH04N70 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 700V, 0.96ohm, 1-Element, N-Ch ... | 下载 |
| LSH04N65 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 0.96ohm, 1-Element, N-Ch ... | 下载 |
| LSG04N70 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 700V, 0.96ohm, 1-Element, N-Ch ... | 下载 |
| LSG04N65 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 0.96ohm, 1-Element, N-Ch ... | 下载 |
| LSC04N65 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 0.96ohm, 1-Element, N-Ch ... | 下载 |
| LSE20N65F | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 650V, 0.16ohm, 1-Element, N-C ... | 下载 |
| LSC20N65F | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 650V, 0.16ohm, 1-Element, N-C ... | 下载 |
| LSE20N65 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-C ... | 下载 |
| LSE20N60 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-C ... | 下载 |
| LSB20N65F | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 650V, 0.16ohm, 1-Element, N-C ... | 下载 |
| LSB20N60 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-C ... | 下载 |
| LSC20N60 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-C ... | 下载 |
| LSB20N65 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-C ... | 下载 |
| LSC20N65 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-C ... | 下载 |
| LSG11N70 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 700V, 0.37ohm, 1-Element, N-C ... | 下载 |
| LSE11N70 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 700V, 0.37ohm, 1-Element, N-C ... | 下载 |
| LSE11N65E | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-C ... | 下载 |
| LSG11N65E | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-C ... | 下载 |
| LSC11N70 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 700V, 0.37ohm, 1-Element, N-C ... | 下载 |
| LSH07N65 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.57ohm, 1-Element, N-Ch ... | 下载 |
| LSG07N65 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.57ohm, 1-Element, N-Ch ... | 下载 |
| LSH07N70 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 700V, 0.57ohm, 1-Element, N-Ch ... | 下载 |
| LSC07N65 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.57ohm, 1-Element, N-Ch ... | 下载 |
| LSC07N70 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 700V, 0.57ohm, 1-Element, N-Ch ... | 下载 |
| LSG07N70 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 700V, 0.57ohm, 1-Element, N-Ch ... | 下载 |
| LSD07N65 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.57ohm, 1-Element, N-Ch ... | 下载 |
| LSD07N70 | 龙腾半导体(LONTEN) | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 700V, 0.57ohm, 1-Element, N-Ch ... | 下载 |
| LPSC3487 | 龙腾半导体(LONTEN) | 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.3A 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA ... | 下载 |
| LPSA3481 | 龙腾半导体(LONTEN) | 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 栅源极阈值电压：1.3V @ 250uA 漏 ... | 下载 |
| LNSC3400 | 龙腾半导体(LONTEN) | 漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 栅源极阈值电压：1.35V @ 250uA ... | 下载 |
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