Flash Memory X-Energy, 8-UDFN (2x3x0.6), IND TEMP, 1.65V-3.6V, Tu0026R
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | Adesto Technologies |
包装说明 | HVSON, |
Reach Compliance Code | compliant |
Factory Lead Time | 10 weeks |
最大时钟频率 (fCLK) | 70 MHz |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
长度 | 3 mm |
内存密度 | 2097152 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 2MX1 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | HVSON |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
并行/串行 | SERIAL |
编程电压 | 1.8 V |
座面最大高度 | 0.6 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 2 mm |
AT25XE021A-MAHN-T | AT25XE021A-SSHN-T | AT25XE041B-MAHN-T | AT25XE041B-SSHN-T | AT25XE041B-MHN-T | AT25XE041B-XMHN-T | |
---|---|---|---|---|---|---|
描述 | Flash Memory X-Energy, 8-UDFN (2x3x0.6), IND TEMP, 1.65V-3.6V, Tu0026R | IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8UDFN | IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8SOIC | IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8UDFN | IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8TSSOP | |
技术 | CMOS | - | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
存储器类型 | - | - | 非易失 | 非易失 | 非易失 | 非易失 |
存储器格式 | - | - | 闪存 | 闪存 | 闪存 | 闪存 |
存储容量 | - | - | 4Mb (512K x 8) | 4Mb (512K x 8) | 4Mb (512K x 8) | 4Mb (512K x 8) |
时钟频率 | - | - | 85MHz | 85MHz | 85MHz | 85MHz |
写周期时间 - 字,页 | - | - | 8µs,2.75ms | 8µs,2.75ms | 8µs,2.75ms | 8µs,2.75ms |
存储器接口 | - | - | SPI | SPI | SPI | SPI |
电压 - 电源 | - | - | 1.65 V ~ 3.6 V | 1.65 V ~ 3.6 V | 1.65 V ~ 3.6 V | 1.65 V ~ 3.6 V |
工作温度 | - | - | -40°C ~ 85°C(TC) | -40°C ~ 85°C(TC) | -40°C ~ 85°C(TC) | -40°C ~ 85°C(TC) |
安装类型 | - | - | 表面贴装 | 表面贴装 | 表面贴装 | 表面贴装 |
封装/外壳 | - | - | 8-UFDFN 裸露焊盘 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 8-UDFN 裸露焊盘 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商器件封装 | - | - | 8-UDFN(2x3) | 8-SOIC | 8-UDFN(5x6) | 8-TSSOP |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved