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AT25XE021A-MAHN-T

产品描述Flash Memory X-Energy, 8-UDFN (2x3x0.6), IND TEMP, 1.65V-3.6V, Tu0026R
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文件大小157KB,共2页
制造商Adesto Technologies
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AT25XE021A-MAHN-T概述

Flash Memory X-Energy, 8-UDFN (2x3x0.6), IND TEMP, 1.65V-3.6V, Tu0026R

AT25XE021A-MAHN-T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
厂商名称Adesto Technologies
包装说明HVSON,
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time10 weeks
最大时钟频率 (fCLK)70 MHz
JESD-30 代码R-PDSO-N8
长度3 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度1
功能数量1
端子数量8
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
编程电压1.8 V
座面最大高度0.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度2 mm

AT25XE021A-MAHN-T相似产品对比

AT25XE021A-MAHN-T AT25XE021A-SSHN-T AT25XE041B-MAHN-T AT25XE041B-SSHN-T AT25XE041B-MHN-T AT25XE041B-XMHN-T
描述 Flash Memory X-Energy, 8-UDFN (2x3x0.6), IND TEMP, 1.65V-3.6V, Tu0026R IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8UDFN IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8SOIC IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8UDFN IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8TSSOP
技术 CMOS - FLASH FLASH FLASH FLASH
存储器类型 - - 非易失 非易失 非易失 非易失
存储器格式 - - 闪存 闪存 闪存 闪存
存储容量 - - 4Mb (512K x 8) 4Mb (512K x 8) 4Mb (512K x 8) 4Mb (512K x 8)
时钟频率 - - 85MHz 85MHz 85MHz 85MHz
写周期时间 - 字,页 - - 8µs,2.75ms 8µs,2.75ms 8µs,2.75ms 8µs,2.75ms
存储器接口 - - SPI SPI SPI SPI
电压 - 电源 - - 1.65 V ~ 3.6 V 1.65 V ~ 3.6 V 1.65 V ~ 3.6 V 1.65 V ~ 3.6 V
工作温度 - - -40°C ~ 85°C(TC) -40°C ~ 85°C(TC) -40°C ~ 85°C(TC) -40°C ~ 85°C(TC)
安装类型 - - 表面贴装 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 - - 8-UFDFN 裸露焊盘 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-UDFN 裸露焊盘 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装 - - 8-UDFN(2x3) 8-SOIC 8-UDFN(5x6) 8-TSSOP

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