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AT25XE041B-MHN-T

产品描述IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8UDFN
产品类别存储   
文件大小157KB,共2页
制造商Adesto Technologies
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AT25XE041B-MHN-T在线购买

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AT25XE041B-MHN-T概述

IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8UDFN

AT25XE041B-MHN-T规格参数

参数名称属性值
存储器类型非易失
存储器格式闪存
技术FLASH
存储容量4Mb (512K x 8)
时钟频率85MHz
写周期时间 - 字,页8µs,2.75ms
存储器接口SPI
电压 - 电源1.65 V ~ 3.6 V
工作温度-40°C ~ 85°C(TC)
安装类型表面贴装
封装/外壳8-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装8-UDFN(5x6)

AT25XE041B-MHN-T相似产品对比

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描述 IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8UDFN Flash Memory X-Energy, 8-UDFN (2x3x0.6), IND TEMP, 1.65V-3.6V, Tu0026R IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8UDFN IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8SOIC IC FLASH 4M SPI 85MHZ 8TSSOP
存储器类型 非易失 - - 非易失 非易失 非易失
存储器格式 闪存 - - 闪存 闪存 闪存
技术 FLASH - CMOS FLASH FLASH FLASH
存储容量 4Mb (512K x 8) - - 4Mb (512K x 8) 4Mb (512K x 8) 4Mb (512K x 8)
时钟频率 85MHz - - 85MHz 85MHz 85MHz
写周期时间 - 字,页 8µs,2.75ms - - 8µs,2.75ms 8µs,2.75ms 8µs,2.75ms
存储器接口 SPI - - SPI SPI SPI
电压 - 电源 1.65 V ~ 3.6 V - - 1.65 V ~ 3.6 V 1.65 V ~ 3.6 V 1.65 V ~ 3.6 V
工作温度 -40°C ~ 85°C(TC) - - -40°C ~ 85°C(TC) -40°C ~ 85°C(TC) -40°C ~ 85°C(TC)
安装类型 表面贴装 - - 表面贴装 表面贴装 表面贴装
封装/外壳 8-UDFN 裸露焊盘 - - 8-UFDFN 裸露焊盘 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装 8-UDFN(5x6) - - 8-UDFN(2x3) 8-SOIC 8-TSSOP

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