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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> Jantx2N1893S
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Jantx2N1893S

产品描述Bipolar Transistors - BJT Power BJT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小54KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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Jantx2N1893S在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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Jantx2N1893S概述

Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Jantx2N1893S规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-5
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/182F
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/182
Devices
2N720A
2N1893
2N1893S
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage (R
BE
= 10
Ω)
Collector Current
@ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +25
0
C
(2)
Operating & Storage Junction Temperature Range
Total Power Dissipation
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
V
CER
I
C
P
T
T
J
,
T
srg
All Devices
80
120
7.0
100
500
2N720A 2N1893, S
0.5
0.8
1.8
3.0
-65 to +200
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
W
0
TO-18 (TO-206AA)*
2N720A
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol 2N720A 2N1893, S
Thermal Resistance, Junction-to-Case
97
58
R
θ
JC
1) Derate linearly 2.86 mW/
0
C for 2N720A, 4.57 mW/
0
C for 2N1893, S T
A
> 25
0
C
2) Derate linearly 10.3 mW/
0
C for 2N720A, 17.2 mW/
0
C for 2N1893, S T
C
> 25
0
C
0
Unit
C/W
TO-5*
2N1893, 2N1893S
*See appendix A for package
outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
0
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
V
(BR)
CEO
V
(BR)
CER
I
CBO
Min.
Max.
Unit
Vdc
Vdc
10
10
10
10
µAdc
ηAdc
µAdc
ηAdc
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 30 mAdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10 mAdc, R
BE
= 10
Ω
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 120 Vdc
V
CB
= 90 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 7.0 Vdc
V
EB
= 5.0 Vdc
80
100
I
EBO
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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Jantx2N1893S相似产品对比

Jantx2N1893S JAN2N720A JANTX2N720A 2N720A Jantxv2N1893S
描述 Bipolar Transistors - BJT Power BJT Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, SIMILAR TO TO-18, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, SIMILAR TO TO-18, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 Bipolar Transistors - BJT Power BJT
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-5 BCY BCY BCY TO-39
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 SIMILAR TO TO-18, 3 PIN SIMILAR TO TO-18, 3 PIN HERMETIC SEALED, METAL CAN-3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant unknown unknown unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40 40 40
JEDEC-95代码 TO-5 TO-206AA TO-206AA TO-18 TO-39
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Qualified Qualified Qualified Not Qualified Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR - COLLECTOR
参考标准 MIL-19500/182F MIL-19500/182F MIL-19500/182F - MIL-19500/182
Objectid - 1938018198 1938018213 1813438819 -
Samacsys Manufacturer - Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation -
Samacsys Modified On - 2019-04-14 12:58:30 2019-04-14 12:58:30 2021-01-22 16:10:20 -

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