datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> Jantxv2N1893S
PDF数据手册
文档预览

Jantxv2N1893S

产品描述Bipolar Transistors - BJT Power BJT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小54KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

Jantxv2N1893S在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
Jantxv2N1893S - - 点击查看 点击购买

Jantxv2N1893S概述

Bipolar Transistors - BJT Power BJT

Jantxv2N1893S规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-39
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.8 W
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/182
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
TECHNICAL DATA
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/182
Devices
2N720A
2N1893
2N1893S
Qualified Level
JAN
JANTX
JANTXV
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage (R
BE
= 10
Ω)
Collector Current
@ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +25
0
C
(2)
Operating & Storage Junction Temperature Range
Total Power Dissipation
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
V
CER
I
C
P
T
T
J
,
T
srg
All Devices
80
120
7.0
100
500
2N720A 2N1893, S
0.5
0.8
1.8
3.0
-65 to +200
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
W
0
TO-18 (TO-206AA)*
2N720A
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol 2N720A 2N1893, S
Thermal Resistance, Junction-to-Case
97
58
R
θ
JC
1) Derate linearly 2.86 mW/
0
C for 2N720A, 4.57 mW/
0
C for 2N1893, S T
A
> 25
0
C
2) Derate linearly 10.3 mW/
0
C for 2N720A, 17.2 mW/
0
C for 2N1893, S T
C
> 25
0
C
0
Unit
C/W
TO-5*
2N1893, 2N1893S
*See appendix A for package
outline
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
0
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
V
(BR)
CEO
V
(BR)
CER
I
CBO
Min.
Max.
Unit
Vdc
Vdc
10
10
10
10
µAdc
ηAdc
µAdc
ηAdc
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 30 mAdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 10 mAdc, R
BE
= 10
Ω
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 120 Vdc
V
CB
= 90 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 7.0 Vdc
V
EB
= 5.0 Vdc
80
100
I
EBO
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
Page 1 of 2

Jantxv2N1893S相似产品对比

Jantxv2N1893S Jantx2N1893S JAN2N720A JANTX2N720A 2N720A
描述 Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, SIMILAR TO TO-18, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-206AA, SIMILAR TO TO-18, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-39 TO-5 BCY BCY BCY
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 SIMILAR TO TO-18, 3 PIN SIMILAR TO TO-18, 3 PIN HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40 40 40
JEDEC-95代码 TO-39 TO-5 TO-206AA TO-206AA TO-18
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR -
参考标准 MIL-19500/182 MIL-19500/182F MIL-19500/182F MIL-19500/182F -
Objectid - - 1938018198 1938018213 1813438819
Samacsys Manufacturer - - Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Samacsys Modified On - - 2019-04-14 12:58:30 2019-04-14 12:58:30 2021-01-22 16:10:20

推荐资源

红外线遥控照明灯开关

过零固态开关电路

二极管构成的倍频电路

ML2200电路方块图

备用电源控制电路图

智能压力测量电路

请问可以在Visual Studio2005中编译DDK提供的范例吗？谢谢！
最近正在看WinDDK的一些范例程序，修改编译总是要用命令行来编译，习惯了用IDE看程序，如果能把DDK中的程序在VS中打开，修改和编译，效率会提高不少吧。请问各位高人，如何在Visual Studio2005 ......
xheshui 嵌入式系统
C语言经典算法67-76
【程序67】 题目：输入数组，最大的与第一个元素交换，最小的与最后一个元素交换，输出数组。 1.程序分析：谭浩强的书中答案有问题。 2.程序源代码： main() { int number; input ......
jingcheng 51单片机
ov7620逐行扫描设置问题?
请问ov7620逐行扫描模式怎样设置呀?我象7620的寄存器0x28写入0x20为什么不行(7620一直忙)呀?是不是还要写其他寄存器呀,怎样写呀?急呀? 谢谢先!...
soluble 嵌入式系统
现代半导体存储器的辐射灵敏度精确测量和比较
本文介绍精确测量现代高安全性、高速半导体存储器的辐射灵敏度需要考虑的一些测试方法，及时测试以防止宇宙射线对关键汽车电子系统的损坏。 因为显而易见的安全原因，汽车线控驾驶技术对汽车电 ......
frozenviolet 汽车电子
怎样播放声音
我刚开始做wince开发，想播放声音，但不知该怎没做，有一段代码放到这里，望大家帮我分析一下，做过wince/mobile 开发的更好，愿大家多提宝贵意见，谢谢！ using System; us ......
shouyuxu 嵌入式系统
揭秘IoT安全解决方案：微软Azure Sphere
Azure Sphere是一个针对物联网设备的端到端的高度安全的解决方案，2020年2月正式商用，宣布着物联网安全进入了新时代。日前微软 Azure Sphere 首席解决方案专家Michael Yu和微软物联网架构师Neo ......
EEWORLD社区 工业自动化与控制
器件捷径:   00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

  1. ATS276C-PLA-A
  2. 230-015Z1-126Z
  3. Y079321K5000B0L
  4. OR2C12A-3M84I-D
  5. VI-2TT-IY-F1
  6. WBC-B0202AG-00-1910-C
  7. F461BB473F400R
  8. MF1/2S-30RFI
  9. UM37548P
  10. A2544HM-8P
  11. A2549HI-24P-K
  12. CR1206F2R26P10

开源项目推荐更多

  1. AP5725 白光 LED 升压转换器的典型应用
  2. 使用 MD1213 和 TC6320 100V 超声波脉冲器的高压脉冲器电路
  3. 用于工业应用的 LT3973HDD-5 3.3V 降压转换器的典型应用
  4. LTM8046 的典型应用 - 3.1Vin 至 32Vin、2kVAC 隔离式 DC/DC 模块转换器
  5. LT337AT 高稳定性稳压器的典型应用
  6. 基于 CCG3PA 的电源适配器应用，适用于 CYPD3175-24LQXQ USB Type-C 端口控制器，具有用于两端口车载充电器的直接反馈控制
  7. 使用 Semtech 的 SC2621 的参考设计
  8. MAXREFDES117#：心率和脉搏血氧监测器
  9. 使用 Analog Devices 的 LT6600CS8-10 的参考设计
  10. 家电

热门活动更多

  1. 填问卷赢好礼 | 想学电源设计？来MPS小课堂！
  2. 免费申请：ADI 超低功耗3 轴 MEMS 加速计ADXL362Z评估板（价值386元）
  3. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  4. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  5. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  6. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  7. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  8. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  9. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  10. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验

热门文章更多

  1. ZDS2022示波器百集实操特辑之24：CAN协议触发方式设置
  2. 麦捷科技：公司今年LTCC产品价格，较去年有一定涨幅
  3. 通过CHNet-S7200PD实现以太网通信及ModbusTCP配置方法
  4. 联合光电：公司新款77GHz毫米波雷达体积小
  5. S3C2440裸机实验（4) -----IIC
  6. 索尼：Xperia 10 II/10 III将升级Android 12系统
  7. 国产双通道高可靠Sigma-Delta ADC的工业测量应用
  8. 病症：arm启动后应用程序界面显示不正常

技术资料推荐更多

  1. 场控功率器件变频信号隔离式驱动电路应用
  2. 日本工业标准--印制线路板通则
  3. 一种基于电压模式PFM控制的DC_DC升压变换器的研究与设计
  4. IGBT的过电流及其保护
  5. Design Consideration of Flat Transformer
  6. 玩转AIGC与应用部署
  7. Design Guidelines for RCD Snubber of Flyback Converters
  8. STM32官方1588协议例程修改版
  9. 先楫高性能HPM6700-6400产品资料包
  10. 测试技术基础

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 45  1037  1905  1768  2901  26  17  22  48  49 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved