Flash Memory (256x8) 2M 90ns
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 90 ns |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | NO |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 12 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.55 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 11.43 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| CAT28F020GI90 | CAT28F020G90 | BLU1206P-1022-QB50W | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Flash Memory (256x8) 2M 90ns | Fixed Resistor, Thin Film, 0.25W, 10200ohm, 150V, 0.02% +/-Tol, 50ppm/Cel, 1206, | |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 2 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 155 °C |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | SMT |
| 技术 | CMOS | CMOS | THIN FILM |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) | - |
| 零件包装代码 | QFJ | QFJ | - |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | - |
| 针数 | 32 | 32 | - |
| 最长访问时间 | 90 ns | 90 ns | - |
| 命令用户界面 | YES | YES | - |
| 数据轮询 | NO | NO | - |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | - |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 | R-PQCC-J32 | - |
| 长度 | 13.97 mm | 13.97 mm | - |
| 内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit | - |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH | - |
| 内存宽度 | 8 | 8 | - |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | - |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | - |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | - |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - |
| 组织 | 256KX8 | 256KX8 | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ | - |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 | LDCC32,.5X.6 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 电源 | 5 V | 5 V | - |
| 编程电压 | 12 V | 12 V | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 座面最大高度 | 3.55 mm | 3.55 mm | - |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A | - |
| 最大压摆率 | 0.03 mA | 0.03 mA | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.75 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - |
| 表面贴装 | YES | YES | - |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | - |
| 端子形式 | J BEND | J BEND | - |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 切换位 | NO | NO | - |
| 类型 | NOR TYPE | NOR TYPE | - |
| 宽度 | 11.43 mm | 11.43 mm | - |
| Base Number Matches | 1 | 1 | - |
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