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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> JAN1N6639US
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JAN1N6639US

产品描述Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小41KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN1N6639US在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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JAN1N6639US概述

Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching

JAN1N6639US规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明SURFACE MOUNT PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-XELF-R2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最大输出电流0.3 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/609D
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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• 1N6639US THRU 1N6641US AVAILABLE IN
JAN, JANTX, JANTXV
AND
JANS
PER MIL-PRF-19500/609
• SWITCHING DIODES
• NON-CAVITY GLASS PACKAGE
• METALLURGICALLY BONDED
1N6639US
1N6640US
1N6641US
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Operating Current: 300 mA
Derating: 4.6 mA/°C Above TEC = + 110°C
Surge Current: I
FSM
= 2.5A, Pw = 8.3ms
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise speci½ed.
V BRR
@ 10 µA
V RWM
I R1
I R2
@ TA = +25
°C
@ TA = +150
°C
VR =
VR =
V RWM
V RWM
nA dc
100
100
100
µA dc
100
100
100
T FR
IF
= 200 mA
T RR
I R = 10 mA
I F = 10 mA
RL = 100
ns
4.0
4.0
5.0
CT
VR = 0
DIM
D
F
G
S
MILLIMETERS
MIN
MAX
1.78
2.16
0.48
0.71
4.19
4.95
0.08MIN.
INCHES
MIN MAX
0.070 0.085
0.019 0.028
0.165 0.195
0.003MIN.
TYPES
FIGURE 1
pF
2.5
2.5
3.0
V(pk)
1N6639US
1N6640US
1N6641US
100
75
75
V(pk)
75
50
50
ns
10
10
10
DESIGN DATA
CASE:
D-5D, Hermetically sealed glass
case, per MIL-PRF- 19500/609
FORWARD VOLTAGE:
VF
TYPES
MIN
1N6639US
–
0.54
1N6640US
0.76
0.82
0.87
1N6641US
–
VdC
MAX
1.20
0.62
0.86
0.92
1.00
1.10
@
IF
mA
(PULSED)
500
1
50
100
200
200
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
50 °C/W maximum at L = 0
THERMAL IMPEDANCE: (Z
OJX): 25
°C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded
MOUNTING SURFACE SELECTION:
The Axial Coefficient of Expansion
(COE) of this device is approximately
+ 4PPM / °C. The COE of the Mounting
Surface System should be selected to
provide a suitable match with this
device.
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841
PHONE (978) 620-2600
FAX (781) 689-0803
WEBSITE: http://www.microsemi.com
159

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描述 Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Fixed Resistor, Thin Film, 0.1W, 218000ohm, 75V, 0.1% +/-Tol, 100ppm/Cel, 0603, Fixed Resistor, Thin Film, 0.25W, 208000ohm, 150V, 0.1% +/-Tol, 10ppm/Cel, 1206, Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50volts 0.22uF X7R 10% Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 218000ohm, 400V, 0.5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 2080000ohm, 500V, 0.5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching
Reach Compliance Code compliant compliant compliant not_compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2
封装形式 LONG FORM SMT SMT LONG FORM LONG FORM Axial Axial LONG FORM
是否Rohs认证 不符合 符合 - 不符合 不符合 符合 符合 不符合
JESD-609代码 e0 e3 - e0 e0 e3 e3 e0
封装形状 ROUND - - ROUND ROUND CYLINDRICAL PACKAGE CYLINDRICAL PACKAGE ROUND
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier - Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度 - 155 °C 155 °C 175 °C 175 °C 160 °C 155 °C 175 °C
最低工作温度 - -55 °C - -65 °C -65 °C -55 °C -55 °C -65 °C

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