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BR24G32FJ-3AGTE2

产品描述EEPROM EEPROM Serial-I2C 32Kb
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共41页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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BR24G32FJ-3AGTE2在线购买

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BR24G32FJ-3AGTE2概述

EEPROM EEPROM Serial-I2C 32Kb

BR24G32FJ-3AGTE2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明LSOP,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time10 weeks
其他特性SEATED HGT CALCULATED
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.9 mm
内存密度32768 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数4096 words
字数代码4000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度1.65 mm
串行总线类型I2C
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.6 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms

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Datasheet
Serial EEPROM Series Standard EEPROM
I
2
C BUS EEPROM (2-Wire)
BR24G32-3A
General Description
BR24G32-3A is a 32Kbit serial EEPROM of I
2
C BUS Interface Method
Features
All controls available by 2 ports of serial clock(SCL) and
serial data(SDA)
Other devices than EEPROM can be connected to the
same port, saving microcontroller port
1.6V to 5.5V Single Power Source Operation most
suitable for battery use
1MHz action is possible(1.7V to 5.5V)
Up to 32 Byte in Page Write Mode
Bit format 4K x 8bit
Self-timed Programming Cycle
Low Current Consumption
Prevention of Write Mistake
WP (Write Protect) Function added
Prevention of Write Mistake At Low Voltage
More than 1 million write cycles
More than 40 years data retention
Noise filter built in SCL / SDA terminal
Initial delivery state FFh
Packages
W(Typ) x D(Typ) x H(Max)
DIP-T8
9.30mm x 6.50mm x 7.10mm
TSSOP-B8
3.00mm x 6.40mm x 1.20mm
SOP8
5.00mm x 6.20mm x 1.71mm
TSSOP-B8M
3.00mm x 6.40mm x 1.10mm
SOP-J8
4.90mm x 6.00mm x 1.65mm
TSSOP-B8J
3.00mm x 4.90mm x 1.10mm
SOP- J8M
4.90mm x 6.00mm x 1.80mm
MSOP8
2.90mm x 4.00mm x 0.90mm
SSOP-B8
3.00mm x 6.40mm x 1.35mm
VSON008X2030
2.00mm x 3.00mm x 0.60mm
VMMP008Z1830
1.85mm x 3.00mm x 0.40mm
Figure 1.
○Product
structure:Silicon monolithic integrated circuit
○This
product has no designed protection against radioactive rays
.
www.rohm.com
TSZ02201-0R2R0G100050-1-2
©2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/37
31.Aug.2016 Rev.008
TSZ22111・14・001

BR24G32FJ-3AGTE2相似产品对比

BR24G32FJ-3AGTE2 BR24G32FV-3AGTE2 BR24G32FVJ-3AGTE2 BR24G32FVM-3AGTTR BR24G32F-3AGTE2
描述 EEPROM EEPROM Serial-I2C 32Kb EEPROM I2C BUS 32K 4096 8bit EEPROM EEPROM I2C BUS 32K 4096 8bit EEPROM EEPROM I2C BUS 32K 4096 8bit EEPROM EEPROM I2C BUS 32K 4096 8bit EEPROM
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 LSOP, LSSOP, TSSOP, VSSOP, SOP,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
Factory Lead Time 10 weeks 11 weeks 10 weeks 11 weeks 10 weeks
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 S-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3
长度 4.9 mm 4.4 mm 3 mm 2.9 mm 5 mm
内存密度 32768 bit 32768 bit 32768 bit 32768 bit 32768 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8
字数 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000 4000 4000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 4KX8 4KX8 4KX8 4KX8 4KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LSOP LSSOP TSSOP VSSOP SOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, LOW PROFILE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
座面最大高度 1.65 mm 1.35 mm 1.1 mm 0.9 mm 1.71 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C I2C
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V 1.6 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3.9 mm 3 mm 3 mm 2.8 mm 4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99
其他特性 SEATED HGT CALCULATED SEATED HGT CALCULATED - - SEATED HGT CALCULATED

 
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