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MRF4427R1

产品描述VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小207KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MRF4427R1概述

VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

MRF4427R1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明PLASTIC, SO-8
针数8
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.4 A
基于收集器的最大容量3.4 pF
集电极-发射极最大电压20 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)5
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)1300 MHz
Base Number Matches1

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MRF4427, R1, R2
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
Low Cost SO-8 Plastic Surface Mount Package.
S-Parameter Characterization
Tape and Reel Packaging Options Available
Low Voltage Version of MRF3866
Maximum Available Gain – 20dB(typ) @ 200MHz
R1 suffix–Tape and Reel, 500 units
R2 suffix–Tape and Reel, 2500 units
SO-8
DESCRIPTION:
Designed for general-purpose RF amplifier applications,
such as; pre-drivers, Oscillators, etc.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
20
40
2.0
400
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
T
stg
R
D
Total Device Dissipation @ TC = 25º C
Derate above 25º C
Storage Temperature
1.5
12.5
-65 to + 150
Watts
mW/ º C
ºC
º C/W
θJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
125
MRF4427.PDF 4-24-03
Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Visit our website at
WWW.ADVANCEDPOWER.COM
or contact our factory direct.

 
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