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IDT7016L17J

产品描述Multi-Port SRAM, 16KX9, 17ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
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文件大小246KB,共20页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7016L17J概述

Multi-Port SRAM, 16KX9, 17ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68

IDT7016L17J规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ, LDCC68,1.0SQ
针数68
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间17 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e0
长度24.2062 mm
内存密度147456 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量68
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC68,1.0SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.572 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度24.2062 mm
Base Number Matches1

IDT7016L17J相似产品对比

IDT7016L17J IDT7016L17PF IDT7016S17J IDT7016S17PF
描述 Multi-Port SRAM, 16KX9, 17ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 Multi-Port SRAM, 16KX9, 17ns, CMOS, PQFP80, PLASTIC, TQFP-80 Multi-Port SRAM, 16KX9, 17ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 Multi-Port SRAM, 16KX9, 17ns, CMOS, PQFP80, PLASTIC, TQFP-80
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 LCC QFP LCC QFP
包装说明 QCCJ, LDCC68,1.0SQ LQFP, QFP80,.64SQ QCCJ, LDCC68,1.0SQ LQFP, QFP80,.64SQ
针数 68 80 68 80
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 17 ns 17 ns 17 ns 17 ns
其他特性 INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PQCC-J68 S-PQFP-G80 S-PQCC-J68 S-PQFP-G80
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 24.2062 mm 14 mm 24.2062 mm 14 mm
内存密度 147456 bit 147456 bit 147456 bit 147456 bit
内存集成电路类型 MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM MULTI-PORT SRAM
内存宽度 9 9 9 9
湿度敏感等级 1 3 1 3
功能数量 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2
端子数量 68 80 68 80
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16KX9 16KX9 16KX9 16KX9
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ LQFP QCCJ LQFP
封装等效代码 LDCC68,1.0SQ QFP80,.64SQ LDCC68,1.0SQ QFP80,.64SQ
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER FLATPACK, LOW PROFILE CHIP CARRIER FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 240 225 240
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.572 mm 1.6 mm 4.572 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.005 A 0.005 A 0.015 A 0.015 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.26 mA 0.26 mA 0.31 mA 0.31 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) TIN LEAD Tin/Lead (Sn85Pb15) TIN LEAD
端子形式 J BEND GULL WING J BEND GULL WING
端子节距 1.27 mm 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 20 30 20
宽度 24.2062 mm 14 mm 24.2062 mm 14 mm

 
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