IDT7016S17PF,IDT7016S17PF pdf中文资料,IDT7016S17PF引脚图,IDT7016S17PF电路-Datasheet-电子工程世界

IDT7016S17PF: 产品描述Multi-Port SRAM, 16KX9, 17ns, CMOS, PQFP80, PLASTIC, TQFP-80; 产品类别存储存储; 文件大小246KB，共20页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT7016S17PF概述

Multi-Port SRAM, 16KX9, 17ns, CMOS, PQFP80, PLASTIC, TQFP-80

IDT7016S17PF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP, QFP80,.64SQ
针数	80
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	17 ns
其他特性	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQFP-G80
JESD-609代码	e0
长度	14 mm
内存密度	147456 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM
内存宽度	9
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	80
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16KX9
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP80,.64SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm

IDT7016S17PF相似产品对比

	IDT7016S17PF	IDT7016L17J	IDT7016L17PF	IDT7016S17J
描述	Multi-Port SRAM, 16KX9, 17ns, CMOS, PQFP80, PLASTIC, TQFP-80	Multi-Port SRAM, 16KX9, 17ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68	Multi-Port SRAM, 16KX9, 17ns, CMOS, PQFP80, PLASTIC, TQFP-80	Multi-Port SRAM, 16KX9, 17ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP	LCC	QFP	LCC
包装说明	LQFP, QFP80,.64SQ	QCCJ, LDCC68,1.0SQ	LQFP, QFP80,.64SQ	QCCJ, LDCC68,1.0SQ
针数	80	68	80	68
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	17 ns	17 ns	17 ns	17 ns
其他特性	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PQFP-G80	S-PQCC-J68	S-PQFP-G80	S-PQCC-J68
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	14 mm	24.2062 mm	14 mm	24.2062 mm
内存密度	147456 bit	147456 bit	147456 bit	147456 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM
内存宽度	9	9	9	9
湿度敏感等级	3	1	3	1
功能数量	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2
端子数量	80	68	80	68
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16KX9	16KX9	16KX9	16KX9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	QCCJ	LQFP	QCCJ
封装等效代码	QFP80,.64SQ	LDCC68,1.0SQ	QFP80,.64SQ	LDCC68,1.0SQ
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	CHIP CARRIER	FLATPACK, LOW PROFILE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	225	240	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	4.572 mm	1.6 mm	4.572 mm
最大待机电流	0.015 A	0.005 A	0.005 A	0.015 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.31 mA	0.26 mA	0.26 mA	0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn85Pb15)	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING	J BEND	GULL WING	J BEND
端子节距	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	30	20	30
宽度	14 mm	24.2062 mm	14 mm	24.2062 mm

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