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BPX-80

产品描述EEPROM 1024-Bit 1-Wire EEPROM
产品类别光电子/LED   
文件大小236KB,共11页
制造商Osram Opto Semiconductor
官网地址https://www.osram.com/index-2.jsp
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BPX-80概述

EEPROM 1024-Bit 1-Wire EEPROM

BPX-80规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Phototransistors
制造商
Manufacturer
Osram Opto Semiconductor
RoHSDetails
产品
Product
Phototransistors
封装 / 箱体
Package / Case
Miniature Array
安装风格
Mounting Style
Through Hole
Peak Wavelength850 nm
Maximum On-State Collector Current50 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max35 V
Dark Current1 nA
Rise Time6 us
Fall Time6 us
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
90 mW
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 80 C
Collector-Emitter Breakdown Voltage35 V
Collector-Emitter Saturation Voltage150 mW
Half Intensity Angle Degrees18 deg
高度
Height
3.4 mm
长度
Length
7.4 mm
Lens Color/StyleTransparent
Light Current320 uA
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
100
类型
Type
Silicon NPN Phototransistor Arrays
Wavelength850 nm
宽度
Width
1.8 mm

文档预览

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2014-01-14
Silicon NPN Phototransistor Arrays
NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen
Version 1.1
BPX 80, BPX 82 ... BPX 89
Spectral range of sensitivity:
(typ) 450 ... 1100
nm
Package:
Miniature Array, Epoxy
Special:
Multiple-digit array package
• High linearity
• Available in groups
Features:
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
(typ) 450 ... 1100 nm
Gehäuse:
Miniatur Array, Harz
Besonderheit:
Mehrstellige Zeilenbauform
• Hohe Linearität
• Gruppiert lieferbar
Besondere Merkmale:
Applications
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
Anwendungen
• Miniatur Lichtschranken
• Industrieelektronik
• Messen / Steuern / Regeln
2014-01-14
1

BPX-80相似产品对比

BPX-80 BPX-89 BPX-87 BPX-88 BPX-85 BPX-83
描述 EEPROM 1024-Bit 1-Wire EEPROM Pluggable Terminal Blocks 3 Pos 3.5mm pitch Plug 28-16 AWG Screw Phototransistors PHOTOTRANSISTOR Infrared Emitters - High Power Infrared 940nm OSLON Black Infrared Emitters IR, 950nm Array Infrared Emitters IR, 950nm Array
产品种类
Product Category
Phototransistors Phototransistors Phototransistors Phototransistors Phototransistors Phototransistors
制造商
Manufacturer
Osram Opto Semiconductor Osram Opto Semiconductor Osram Opto Semiconductor Osram Opto Semiconductor Osram Opto Semiconductor Osram Opto Semiconductor
RoHS Details Details Details Details Details Details
产品
Product
Phototransistors Phototransistors Phototransistors Phototransistors Phototransistors Phototransistors
封装 / 箱体
Package / Case
Miniature Array Miniature Array Miniature Array Miniature Array Miniature Array Miniature Array
安装风格
Mounting Style
Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Peak Wavelength 850 nm 850 nm 850 nm 850 nm 850 nm 850 nm
Maximum On-State Collector Current 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 35 V 35 V 35 V 35 V 35 V 35 V
Dark Current 1 nA 1 nA 1 nA 1 nA 1 nA 1 nA
Rise Time 6 us 6 us 6 us 6 us 6 us 6 us
Fall Time 6 us 6 us 6 us 6 us 6 us 6 us
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
90 mW 90 mW 90 mW 90 mW 90 mW 90 mW
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C - 40 C - 40 C - 40 C - 40 C - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 80 C + 80 C + 80 C + 80 C + 80 C + 80 C
Collector-Emitter Breakdown Voltage 35 V 35 V 35 V 35 V 35 V 35 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 150 mW 150 mW 150 mW 150 mW 150 mW 150 mW
Half Intensity Angle Degrees 18 deg 18 deg 18 deg 18 deg 18 deg 18 deg
高度
Height
3.4 mm 3.4 mm 3.4 mm 3.4 mm 3.4 mm 3.4 mm
长度
Length
7.4 mm 7.4 mm 7.4 mm 7.4 mm 7.4 mm 7.4 mm
Lens Color/Style Transparent Transparent Transparent Transparent Transparent Transparent
Light Current 320 uA 320 uA 320 uA 320 uA 320 uA 320 uA
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
100 100 100 100 125 250
类型
Type
Silicon NPN Phototransistor Arrays Silicon NPN Phototransistor Arrays Silicon NPN Phototransistor Arrays Silicon NPN Phototransistor Arrays Silicon NPN Phototransistor Arrays Silicon NPN Phototransistor Arrays
Wavelength 850 nm 850 nm 850 nm 850 nm 850 nm 850 nm
宽度
Width
1.8 mm 1.8 mm 1.8 mm 1.8 mm 1.8 mm 1.8 mm
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