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MUN5331DW1T1: 产品描述PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小367KB，共13页; 制造商LRC; 官网地址http://www.lrc.cn

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MUN5331DW1T1概述

PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363

PRE-BIASED 数字晶体管,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363

MUN5331DW1T1规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	LRC
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)	8
元件数量	2
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.385 W
表面贴装	YES
晶体管元件材料	SILICON

MUN5331DW1T1相似产品对比

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描述	PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363	PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363	PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363	PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363	PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363	PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363	PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363	PRE-BIASED DIGITAL TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-363
厂商名称	LRC	-	LRC	LRC	LRC	LRC	LRC	LRC
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknown	unknow	unknow	unknow
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	-	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)	8	-	80	15	160	160	80	60
元件数量	2	-	2	2	2	2	2	2
极性/信道类型	PNP	-	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.385 W	-	0.385 W	0.385 W	0.385 W	0.385 W	0.385 W	0.385 W
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES	YES
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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