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JAN2N5238

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 170V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共1页
制造商Defense Logistics Agency
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JAN2N5238概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 170V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,

JAN2N5238规格参数

参数名称属性值
厂商名称Defense Logistics Agency
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压170 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Qualified
参考标准MIL
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
定时器0的中断和串口中断不能同时工作么?
include#include#define _MHZ_ 11sbitLED1=P0^0;sbitLED2=P0^1;sbitP0_2=P0^2;sbitP0_3=P0^3;sbitK1=P0^4;sbitK2=P0^5;sbitP0_6=P0^6;sbitP0_7=P0^7;sbitLED3=P1^0;sbitLED4=P1^1;sbitLED5=P1^2;sbitP1_3=P1^3;sbitP...
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