IDT70V261S55PF,IDT70V261S55PF pdf中文资料,IDT70V261S55PF引脚图,IDT70V261S55PF电路-Datasheet-电子工程世界

IDT70V261S55PF: 产品描述16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100; 产品类别存储; 文件大小155KB，共17页; 制造商IDT(艾迪悌); 官网地址http://www.idt.com/

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IDT70V261S55PF概述

16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	100
最大工作温度	85 Cel
最小工作温度	-40 Cel
最大供电/工作电压	3.6 V
最小供电/工作电压	3 V
额定供电电压	3.3 V
最大存取时间	25 ns
加工封装描述	PLASTIC, TQFP-100
状态	ACTIVE
工艺	CMOS
包装形状	SQUARE
包装尺寸	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	0.5000 mm
端子涂层	TIN LEAD
端子位置	QUAD
包装材料	PLASTIC/EPOXY
温度等级	INDUSTRIAL
内存宽度	16
组织	16K X 16
存储密度	262144 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS
位数	16384 words
位数	16K
内存IC类型	DUAL-PORT SRAM
串行并行	PARALLEL

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ