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EBD52UD6ADSA-6B: 产品描述512MB DDR SDRAM SO-(64M words x 64 bits, 2 Ranks); 产品类别存储存储; 文件大小237KB，共19页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en

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EBD52UD6ADSA-6B概述

512MB DDR SDRAM SO-(64M words x 64 bits, 2 Ranks)

EBD52UD6ADSA-6B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ELPIDA
零件包装代码	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM200,24
针数	200
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	167 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N200
JESD-609代码	e0
内存密度	4294967296 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	200
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	235
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大压摆率	2.38 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.6 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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DATA SHEET

512MB DDR SDRAM SO-DIMM

EBD52UD6ADSA

(64M words

64 bits, 2 Ranks)

Description

The EBD52UD6ADSA is 64M words

64 bits, 2 ranks

Double Data Rate (DDR) SDRAM Small Outline Dual

In-line Memory Module, mounting 8 pieces of 512M

bits DDR SDRAM sealed in TSOP package. Read and

write operations are performed at the cross points of

the CK and the /CK. This high-speed data transfer is

realized by the 2 bits prefetch-pipelined architecture.

Data strobe (DQS) both for read and write are available

for high speed and reliable data bus design. By setting

extended mode register, the on-chip Delay Locked

Loop (DLL) can be set enable or disable. This module

provides high density mounting without utilizing surface

mount technology. Decoupling capacitors are mounted

beside each TSOP on the module board.

Features

•

200-pin socket type small outline dual in line memory

module (SO-DIMM)



PCB height: 31.75mm



Lead pitch: 0.6mm

•

2.5V power supply

•

Data rate: 333Mbps/266Mbps (max.)

•

2.5 V (SSTL_2 compatible) I/O

•

Double Data Rate architecture; two data transfers per

clock cycle

•

Bi-directional, data strobe (DQS) is transmitted

/received with data, to be used in capturing data at

the receiver

•

Data inputs, outputs and DM are synchronized with

DQS

•

4 internal banks for concurrent operation

(Component)

•

DQS is edge aligned with data for READs; center

aligned with data for WRITEs

•

Differential clock inputs (CK and /CK)

•

DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

•

Commands entered on each positive CK edge; data

referenced to both edges of DQS

•

Data mask (DM) for write data

•

Auto precharge option for each burst access

•

Programmable burst length: 2, 4, 8

•

Programmable /CAS latency (CL): 2, 2.5

•

Refresh cycles: (8192 refresh cycles /64ms)



7.8µs maximum average periodic refresh interval

•

2 variations of refresh



Auto refresh



Self refresh

Document No. E0425E30 (Ver. 3.0)

Date Published January 2004 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida

Memory , Inc. 2003-2004

EBD52UD6ADSA-6B相似产品对比

	EBD52UD6ADSA-6B	EBD52UD6ADSA	EBD52UD6ADSA-7B	EBD52UD6ADSA-7A
描述	512MB DDR SDRAM SO-(64M words x 64 bits, 2 Ranks)	512MB DDR SDRAM SO-(64M words x 64 bits, 2 Ranks)	512MB DDR SDRAM SO-(64M words x 64 bits, 2 Ranks)	512MB DDR SDRAM SO-(64M words x 64 bits, 2 Ranks)
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合
厂商名称	ELPIDA	-	ELPIDA	ELPIDA
零件包装代码	MODULE	-	MODULE	MODULE
包装说明	DIMM, DIMM200,24	-	DIMM, DIMM200,24	DIMM, DIMM200,24
针数	200	-	200	200
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	-	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	-	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	167 MHz	-	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N200	-	R-XDMA-N200	R-XDMA-N200
JESD-609代码	e0	-	e0	e0
内存密度	4294967296 bi	-	4294967296 bi	4294967296 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	-	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	-	64	64
功能数量	1	-	1	1
端口数量	1	-	1	1
端子数量	200	-	200	200
字数	67108864 words	-	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	-	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C
组织	64MX64	-	64MX64	64MX64
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	-	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM200,24	-	DIMM200,24	DIMM200,24
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	235	-	235	235
电源	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	-	8192	8192
自我刷新	YES	-	YES	YES
最大压摆率	2.38 mA	-	2.02 mA	2.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	-	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	-	NO	NO
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.6 mm	-	0.6 mm	0.6 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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