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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> EBD11UD8ADFB-7B
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EBD11UD8ADFB-7B

产品描述1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)
产品类别存储    存储   
文件大小186KB，共19页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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EBD11UD8ADFB-7B概述

1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)

EBD11UD8ADFB-7B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM184
针数184
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
JESD-609代码e0
内存密度8589934592 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）235
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.048 A
最大压摆率4.8 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DATA SHEET
1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM
EBD11UD8ADFB
(128M words
×
64 bits, 2 Ranks)
Description
The EBD11UD8ADFB is 128M words
×
64 bits, 2 ranks
Double Data Rate (DDR) SDRAM unbuffered module,
mounting 16 pieces of 512M bits DDR SDRAM sealed
in TSOP package. Read and write operations are
performed at the cross points of the CK and the /CK.
This high-speed data transfer is realized by the 2 bits
prefetch-pipelined architecture. Data strobe (DQS)
both for read and write are available for high speed and
reliable data bus design. By setting extended mode
register, the on-chip Delay Locked Loop (DLL) can be
set enable or disable. This module provides high
density mounting without utilizing surface mount
technology.
Decoupling capacitors are mounted
beside each TSOP on the module board.
Features
•
184-pin socket type dual in line memory module
(DIMM)
PCB height: 31.75mm
Lead pitch: 1.27mm
•
2.5V power supply
•
Data rate: 333Mbps/266Mbps (max.)
•
2.5 V (SSTL_2 compatible) I/O
•
Double Data Rate architecture; two data transfers per
clock cycle
•
Bi-directional, data strobe (DQS) is transmitted
/received with data, to be used in capturing data at
the receiver
•
Data inputs and outputs are synchronized with DQS
•
4 internal banks for concurrent operation
(Component)
•
DQS is edge aligned with data for READs; center
aligned with data for WRITEs
•
Differential clock inputs (CK and /CK)
•
DLL aligns DQ and DQS transitions with CK
transitions
•
Commands entered on each positive CK edge; data
referenced to both edges of DQS
•
Auto precharge option for each burst access
•
Programmable burst length: 2, 4, 8
•
Programmable /CAS latency (CL): 2, 2.5
•
Refresh cycles: (8192 refresh cycles /64ms)
7.8µs maximum average periodic refresh interval
•
2 variations of refresh
Auto refresh
Self refresh
Document No. E0414E20 (Ver. 2.0)
Date Published February 2004 (K) Japan
URL: http://www.elpida.com
Elpida
Memory , Inc. 2003-2004

EBD11UD8ADFB-7B相似产品对比

EBD11UD8ADFB-7B EBD11UD8ADFB EBD11UD8ADFB-7A EBD11UD8ADFB-6B
描述 1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks) 1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks) 1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks) 1GB Unbuffered DDR SDRAM DIMM (128M words x64 bits, 2 Ranks)
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 ELPIDA - ELPIDA ELPIDA
零件包装代码 DIMM - DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM184 - DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184
针数 184 - 184 184
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST - DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.75 ns - 0.75 ns 0.7 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz - 133 MHz 167 MHz
I/O 类型 COMMON - COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 - R-XDMA-N184 R-XDMA-N184
JESD-609代码 e0 - e0 e0
内存密度 8589934592 bi - 8589934592 bi 8589934592 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE - DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 - 64 64
功能数量 1 - 1 1
端口数量 1 - 1 1
端子数量 184 - 184 184
字数 134217728 words - 134217728 words 134217728 words
字数代码 128000000 - 128000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C
组织 128MX64 - 128MX64 128MX64
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM - DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM184 - DIMM184 DIMM184
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度） 235 - 235 235
电源 2.5 V - 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 - 8192 8192
自我刷新 YES - YES YES
最大待机电流 0.048 A - 0.048 A 0.048 A
最大压摆率 4.8 mA - 4.8 mA 5.12 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V - 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V - 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V - 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO - NO NO
技术 CMOS - CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD - NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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