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RN2409

产品描述TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小167KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2409概述

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2409规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 0.47
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量6 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

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RN2407~RN2409
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2407,RN2408,RN2409
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
l
With built-in bias resistors
l
Simplify circuit design
l
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
l
Complementary to RN1407~1409
Unit: mm
Equivalent Circuit
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 0.012g
TO-236MOD
SC-59
2-3F1A
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
°
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN2407~RN2409
RN2407
Emitter-base voltage
RN2408
RN2409
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN2407~RN2409
I
C
P
C
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
−50
−50
−6
−7
−15
−100
200
150
−5~150
mA
mW
°C
°C
V
Unit
V
V
1
2001-06-07

RN2409相似产品对比

RN2409 RN2407 RN2408
描述 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 0.47 BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 4.7 BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 2.14
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 6 pF 6 pF 6 pF
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 70 80 80
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W 0.2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz
VCEsat-Max 0.3 V 0.3 V 0.3 V
厂商名称 - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
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