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RN2407: 产品描述TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process); 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小167KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/; 标准

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RN2407概述

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2407规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Toshiba(东芝)
零件包装代码	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	6 pF
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz
VCEsat-Max	0.3 V

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RN2407~RN2409

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2407,RN2408,RN2409

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

With built-in bias resistors

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Complementary to RN1407~1409

Unit: mm

Equivalent Circuit

JEDEC

EIAJ

TOSHIBA

Weight: 0.012g

TO-236MOD

SC-59

2-3F1A

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

RN2407~RN2409

RN2407

Emitter-base voltage

RN2408

RN2409

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN2407~RN2409

stg

EBO

Symbol

CBO

CEO

Rating

−50

−6

−7

−15

−100

200

150

−5~150

°C

Unit

2001-06-07

RN2407相似产品对比

	RN2407	RN2408	RN2409
描述	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
是否无铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
零件包装代码	SOT-23	SOT-23	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 4.7	BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 2.14	BUILT-IN RESISTOR RATIO IS 0.47
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A
基于收集器的最大容量	6 pF	6 pF	6 pF
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80	80	70
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.2 W	0.2 W	0.2 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz	200 MHz	200 MHz
VCEsat-Max	0.3 V	0.3 V	0.3 V
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	-

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