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IRFR13N20DTRRP: 产品描述MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小137KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC

参数名称	属性值
产品种类 Product Category	MOSFET
制造商 Manufacturer	Infineon(英飞凌)
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TO-252-3
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Id - Continuous Drain Current	14 A
Rds On - Drain-Source Resistance	235 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Qg - Gate Charge	25 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 175 C
系列 Packaging	Reel
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Fall Time	10 ns
高度 Height	2.3 mm
长度 Length	6.5 mm
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	110 W
Rise Time	27 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	3000
Transistor Type	1 N-Channel
类型 Type	Smps Mosfet
Typical Turn-Off Delay Time	17 ns
Typical Turn-On Delay Time	11 ns
宽度 Width	6.22 mm
单位重量 Unit Weight	0.139332 oz

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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