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BC848CDXV6T1G

产品描述Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小125KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BC848CDXV6T1G在线购买

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BC848CDXV6T1G概述

Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V Dual NPN

BC848CDXV6T1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明LEAD FREE, CASE 463A-01, 6 PIN
针数6
制造商包装代码463A-01
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)420
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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BC847CDXV6T1G,
SBC847CDXV6T1G,
BC847CDXV6T5G,
BC848CDXV6T1G
Dual General Purpose
Transistors
NPN Duals
These transistors are designed for general purpose amplifier
applications. They are housed in the SOT−563 which is designed for
low power surface mount applications.
Features
(3)
Q
1
http://onsemi.com
(2)
(1)
Q
2
(4)
(5)
BC847CDXV6T1
(6)
AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique
Site and Control Change Requirements
These are Pb−Free Devices
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector
Emitter Voltage
Collector
Base Voltage
Emitter
Base Voltage
Collector Current
Continuous
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
BC847
45
50
6.0
100
BC848
30
30
5.0
100
Unit
V
V
V
mAdc
6
1
SOT−563
CASE 463A
MARKING DIAGRAMS
1x M
G
G
1
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1x
M
G
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
(One Junction Heated)
Total Device Dissipation, (Note 1)
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance,
Junction-to-Ambient (Note 1)
Characteristic
(Both Junctions Heated)
Total Device Dissipation, (Note 1)
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance,
Junction-to-Ambient (Note 1)
Junction and Storage
Temperature Range
1. FR−4 @ Minimum Pad
Symbol
P
D
Max
357
2.9
350
Unit
mW
mW/°C
°C/W
= Device Code
x = G or M
= Date Code
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
R
qJA
Symbol
P
D
Max
500
4.0
250
−55
to +150
Unit
mW
mW/°C
°C/W
°C
R
qJA
T
J
, T
stg
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2011
November, 2011
Rev. 4
1
Publication Order Number:
BC847CDXV6T1/D
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