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SMUN5330DW1T1G

产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小75KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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SMUN5330DW1T1G在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SMUN5330DW1T1G规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
制造商包装代码419B-02
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time8 weeks
Is SamacsysN
其他特性BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)3
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)0.256 W
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

SMUN5330DW1T1G相似产品对比

SMUN5330DW1T1G MUN5330DW1T1G
描述
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6
制造商包装代码 419B-02 419B-02
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 8 weeks 1 week
Is Samacsys N N
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 3 3
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 2 2
端子数量 6 6
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 NPN AND PNP NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.256 W 0.385 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

 
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