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2PB1219AR135

产品描述Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-11
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小172KB,共7页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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2PB1219AR135概述

Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-11

2PB1219AR135规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦)
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-323-3
Transistor PolarityPNP
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max50 V
Collector- Base Voltage VCBO60 V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Maximum DC Collector Current0.5 A
Gain Bandwidth Product fT120 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min120
DC Current Gain hFE Max120 at 150 mA at 10 V
高度
Height
1 mm
长度
Length
2.2 mm
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
系列
Packaging
Reel
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
200 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10000
宽度
Width
1.35 mm

2PB1219AR135相似产品对比

2PB1219AR135 2PB1219AQ115
描述 Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-11 Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7
产品种类
Product Category
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors - BJT
制造商
Manufacturer
NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
RoHS Details Details
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SOT-323-3 SOT-323-3
Transistor Polarity PNP PNP
Configuration Single Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V 50 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V 5 V
Maximum DC Collector Current 0.5 A 0.5 A
Gain Bandwidth Product fT 120 MHz 100 MHz
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min 120 85 at 150 mA at 10 V, 40 at 500 mA at 10 V
DC Current Gain hFE Max 120 at 150 mA at 10 V 85 at 150 mA at 10 V
高度
Height
1 mm 1 mm
长度
Length
2.2 mm 2.2 mm
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C - 65 C
系列
Packaging
Reel Reel
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
200 mW 200 mW
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
10000 3000
宽度
Width
1.35 mm 1.35 mm

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