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G10N10A

产品描述漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 栅源极阈值电压:1.6V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 N沟道,100V,10A,20mΩ@10V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小2MB,共5页
制造商谷峰(GOFORD)
官网地址http://www.goford.cn/
深圳市谷峰电子有限公司GOFORD SEMICONDUCTOR,于1995年在香港成立。现已在全球各地建立分公司、办事处和代理网络。国家高新技术企业。GOFORD专注于半导体功率元器件MOSFET场效应管的研发、生产和销售。公司通过严格的品质管理体系和考核,提供高可靠性的产品;不断的技术研发创新,满足细分市场的需求和产品的性价比;全球布局的视野,不断推广GOFORD品牌在功率器件领域的知名度。GOFORD致力于打造全球知名的功率器件品牌!
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G10N10A概述

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 栅源极阈值电压:1.6V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 N沟道,100V,10A,20mΩ@10V

G10N10A规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A
栅源极阈值电压1.6V @ 250uA
漏源导通电阻20mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W
类型N沟道

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