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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> MBRT20035R
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MBRT20035R

产品类别半导体    分立半导体   
文件大小462KB，共4页
制造商GeneSiC
官网地址http://www.genesicsemi.com/
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MBRT20035R在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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MBRT20035R规格参数

参数名称属性值
产品种类
Product Category		Schottky Diodes & Rectifiers
制造商
Manufacturer		GeneSiC
RoHSDetails
产品
Product		Schottky Diodes
安装风格
Mounting Style		SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case		Module
If - Forward Current200 A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage35 V
Vf - Forward Voltage0.75 V
Ifsm - Forward Surge Current1500 A
技术
Technology		Si
Ir - Reverse Current1 uA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		+ 150 C
系列
Packaging		Bulk
工作温度范围
Operating Temperature Range		- 40 C to + 150 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		25

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MBRT20020 thru MBRT20040R
Silicon Power
Schottky Diode
Features
• High Surge Capability
• Types from 20 V to 40 V V
RRM
• Isolation Type Package
• Electrically Isolated Base Plate
• Not ESD Sensitive
Three Tower Package
V
RRM
= 20 V - 40 V
I
F(AV)
= 200 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
T
j
T
stg
Conditions
MBRT20020(R) MBRT20030(R) MBRT20035(R) MBRT20040(R) Unit
20
14
20
-55 to 150
-55 to 150
30
21
30
-55 to 150
-55 to 150
35
25
35
-55 to 150
-55 to 150
40
28
40
-55 to 150
-55 to 150
V
V
V
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Average forward current (per
pkg)
Peak forward surge current
(per leg)
Maximum instantaneous
forward voltage (per leg)
Maximum instantaneous
reverse current at rated DC
blocking voltage (per leg)
Symbol
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Conditions
T
C
= 125 °C
t
p
= 8.3 ms, half sine
I
FM
= 100 A, T
j
= 25 °C
T
j
= 25 °C
T
j
= 100 °C
T
j
= 150 °C
MBRT20020(R) MBRT20030(R) MBRT20035(R) MBRT20040(R) Unit
200
1500
0.70
1
10
30
0.45
200
1500
0.70
1
10
30
0.45
200
1500
0.70
1
10
30
0.45
200
1500
0.70
1
10
30
0.45
A
A
V
mA
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction-
case (per leg)
R
ΘJC
°C/W
www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/
1

MBRT20035R相似产品对比

MBRT20035R MBRT20035 MBRT20020 MBRT20030 MBRT20040R MBRT20030R
描述 Schottky Diodes u0026 Rectifiers 35V 200A Schottky Recovery Schottky Diodes u0026 Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14R Schottky Diodes u0026 Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21R Schottky Diodes u0026 Rectifiers 40V 200A Schottky Recovery Schottky Diodes u0026 Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21R
产品种类
Product Category		 Schottky Diodes & Rectifiers - Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diodes & Rectifiers
制造商
Manufacturer		 GeneSiC - GeneSiC GeneSiC GeneSiC GeneSiC
RoHS Details - Details Details Details Details
产品
Product		 Schottky Diodes - Schottky Diodes Schottky Diodes Schottky Diodes Schottky Diodes
安装风格
Mounting Style		 SMD/SMT - SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case		 Module - Module Module Module Module
If - Forward Current 200 A - 200 A 200 A 200 A 200 A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage 35 V - 20 V 30 V 40 V 30 V
Vf - Forward Voltage 0.75 V - 0.7 V 0.75 V 0.75 V 0.75 V
Ifsm - Forward Surge Current 1500 A - 1500 A 1500 A 1500 A 1500 A
技术
Technology		 Si - Si Si Si Si
Ir - Reverse Current 1 uA - 1 uA 1 uA 1 uA 1 uA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		 - 40 C - - 40 C - 40 C - 40 C - 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		 + 150 C - + 150 C + 150 C + 150 C + 150 C
系列
Packaging		 Bulk - Bulk Bulk Bulk Bulk
工作温度范围
Operating Temperature Range		 - 40 C to + 150 C - - 40 C to + 150 C - 40 C to + 150 C - 40 C to + 150 C - 40 C to + 150 C
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		 25 - 25 25 25 25

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